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长江存储与Xperi达成3D NAND专利许可协议
来源:全球半导体观察 | 作者:全球半导体观察 | 发布时间: 218天前 | 151 次浏览 | 分享到:

     Xperi全资子公司Invensas总裁Craig Mitchell表示,Xperi的DBI混合键合是当前和未来几代高性能、大容量3D NAND闪存的关键技术,Craig Mitchell指出,期待扩大与长江存储的合作关系。


      据Xperi介绍,混合键合3D集成技术越来越多地用于各种半导体器件,例如传感器、存储器和逻辑器件,以增强性能和功能,同时减小尺寸和成本。在3D NAND应用中,DBI混合键合技术能够分解存储器阵列和逻辑电路,从而为每个应用提供最佳的晶圆工艺节点。


       不过,作为此次合作的签约方之一,长江存储目前并未在其官方平台对此消息进行表态。


       官方资料显示,长江存储是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,主要为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,产品广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。


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